Cr2GeC Mn+1AXn 相中的电子关联效应
材料科学
2013-12-04 v1 介观与纳米尺度物理
计算物理
摘要
本文通过广义梯度近似 (GGA) 和+U 修正方法 (GGA+U) 研究了六方 Cr2GeC 系统的磁性质、电子能带结构和费米面。有效 U 值是在增广平面波理论方案内，遵循 Anisimov 等人 [1991 Phys. Rev. B 45, 7570] 的约束密度泛函理论形式计算得出的。基于我们的 GGA+U 计算，发现 Cr 原子的补偿反铁磁自旋有序是该材料的基态解，其中 Ge 介导的超交换耦合导致了 ABA 堆叠的面内 Cr-C 网络之间相反的自旋分布。结构性质也经过了测试，发现与现有实验数据吻合良好。费米面的拓扑分析被用于定性解决 Cr2GeC 的电子输运性质，并发现六方晶格内存在重要的不对称载流子类型分布。我们得出结论，对强关联 Cr-d 电子的适当描述是解释这种异常 Cr 基 MAX 相材料性质的关键问题。
引用
@article{arxiv.1312.0890,
title = {Electronic correlation effects in the Cr2GeC Mn+1AXn phase},
author = {Maurizio Mattesini and Martin Magnuson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.0890},
year = {2013}
}
备注
13 pages, 10 pictures