Co_xTiSe_2 和 Cr_xTiSe_2 的电子结构
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
本文报告了对掺杂化合物 Cr_xTiSe_2 和 Co_xTiSe_2 的研究结果，采用 X 射线光电子能谱（XPS）和 X 射线发射能谱（XES）进行表征。所得数据与自旋极化能带计算的理论结果进行了比较。理论与实验数据在所研究材料的电子结构方面表现出良好的一致性。讨论了 M3d-Ti3d 杂化（M=Cr, Co）与 M 位磁矩之间的相互作用。观察到 Cr2p{3/2} 核心级的 0.9 eV 大分裂，这揭示了 Cr 的 3d-2p 电子之间强烈的交换磁相互作用。在 Cr3d 电子强局域化的情况下（当 x<0.25 时），观察到 CrL 谱的展宽延伸到费米能级以上区域，归因于 X射线再发射。测量的动力学性能与光谱探测和能带计算结果一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0005153,
title = {Electronic structure of Co_xTiSe_2 and Cr_xTiSe_2},
author = {A. N. Titov and A. V. Kuranov and V. G. Pleschev and Yu. M. Yarmoshenko and M. V. Yablonskikh and A. V. Postnikov and S. Plogmann and M. Neumann and A. V. Ezhov and E. Z. Kurmaev},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0005153},
year = {2009}
}
备注
14 pages, 11 figures, submitted to Phys.Rev.B