电子-声子相互作用对纳米硅膜直接带隙跃迁的影响
介观与纳米尺度物理
2015-05-27 v4
摘要
本研究表明，晶体硅量子阱（c-Si QW）的介电函数受载流子限制和电子-声子相互作用的共同影响。发现厚度从2到10 nm的c-Si QW的激子E1直接带隙跃迁的能量位移和寿命展宽具有显著的维度和温度依赖性，这可归因于纳米膜声子色散的变化。通过在5 nm c-Si QW上方使用不同的介电层来改变声子色散，验证了电子-声子相互作用对介电函数的影响。
引用
@article{arxiv.1103.4102,
title = {Electron-phonon interaction effects on the direct gap transitions of nanoscale Si films},
author = {Vimal K Kamineni and Alain C Diebold},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.4102},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 4 Figure, Appl. Phys. Lett