CDW超导体LaPt2Si2中的非常规临界行为与q依赖电子-声子耦合诱导的声子软化
超导电性
2023-08-29 v1 强关联电子
摘要
本文通过非弹性中子散射首次实验观测到单晶LaPtSi中的声子及其软化现象。由电荷密度波（CDW）矢量附近声子频率的温度依赖关系，我们得到CDW转变温度T = 230 K与临界指数 = 0.28 0.03。该值暗示LaPtSi中CDW相变具有非常规临界行为，与CDW失公度（DC）情景相符。DC由该材料中两个CDW的存在引起，它们分别在不等价的(Si1-Pt2-Si1)与(Pt1-Si2-Pt1)层中独立传播，转变温度分别为T = 230 K与T = 110 K。强烈的依赖电子-声子耦合被确认为T = 230 K处CDW转变的驱动机制，而T = 110 K处的转变则被建议为具有三维特征的CDW，并以费米面准嵌套为驱动机制。我们的结果澄清了LaPtSi中CDW转变的一些方面，这些方面此前被理论预测与实验观测所误解，并直接揭示了其真实的温度依赖关系。
引用
@article{arxiv.2303.04499,
title = {Non-Conventional Critical Behavior and Q-dependent Electron-Phonon Coupling Induced Phonon Softening in the CDW Superconductor LaPt2Si2},
author = {Elisabetta Nocerino and Uwe Stuhr and Irene San Lorenzo and Federico Mazza and Daniel Mazzone and Johan Hellsvik and Shunsuke Hasegawa and Shinichiro Asai and Takatsugu Masuda and Arianna Minelli and Zakir Hossain and Arumugam Thamizhavel and Kim Lefmann and Yasmine Sassa and Martin Månsson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.04499},
year = {2023}
}