核/壳 Ge/Si 与 Si/Ge 纳米线中的电子-声学声子相互作用
介观与纳米尺度物理
2017-09-08 v4
摘要
针对具有圆形截面的 Ge/Si 和 Si/Ge 核/壳纳米线结构（NWs），推导了电子和空穴-声学声子形变势哈密顿量（H_{E-DP}）的通用表达式。基于短程弹性连续介质方法和推导出的解析结果，分析了空间受限对矢量声子位移、声子色散关系以及电子和空穴-声子散射振幅的影响。结果表明，声学位移矢量、声子频率和 H_{E-DP} 呈现出混合的扭转、轴向和径向分量，具体取决于所考虑的角动量量子数和声子波矢。该处理表明，由于空间受限和界面处的本征应变，组成材料的体群速度被重整化。讨论了绝缘壳层对 Ge/Si 和 Si/Ge 纳米线中声子色散和电子-声子耦合的作用。
引用
@article{arxiv.1607.01332,
title = {Electron-acoustic-phonon interaction in core/shell Ge/Si and Si/Ge nanowires},
author = {Darío G. Santiago-Pérez and C. Trallero-Giner and G. E. Marques},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.01332},
year = {2017}
}