MgSe和MgTe中与电子-声子相关的载流子迁移率
材料科学
2024-11-19 v1
摘要
本文基于密度泛函理论（DFT），结合电子-声子（E-p）耦合，对块体MgSe和MgTe的结构、电子和振动性质进行了研究。引入电子-声子耦合是为了理解其对载流子动力学的影响。观察到MgTe在室温下的空穴和电子迁移率分别为18.7 cm²/Vs和335 cm²/Vs；与此相反，块体MgSe在温度依赖的载流子迁移率上遵循相反的趋势，这是由于其不同的散射率和电子-声子耦合分布。本研究的关键特征是展示了电子-声子耦合在确定材料中载流子迁移率及相关动力学方面的重要性。此外，电子-声子耦合的引入软化了电子和声子色散，这归因于系统中电子与声子之间相互作用的纳入。总体结果表明，纳入电子-声子耦合对于确定系统的载流子动力学至关重要，这与实验结果非常吻合。两种材料都具有中等大小的迁移率，这些迁移率可以通过改变维度限域和/或化学成分来修正，从而通过改变边缘态和耦合参数来强烈影响载流子动力学。
引用
@article{arxiv.2411.11399,
title = {Electron-phonon associated carrier mobility in MgSe and MgTe},
author = {Maitry Joshi and Trupti K Gajaria and Prafulla K. Jha},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.11399},
year = {2024}
}
备注
19 pages, 3 Figures