基于 GaAs 的半导体微腔中极化激元态的电致发光发射
其他凝聚态物理
2009-11-13 v1
摘要
作者报道了在强耦合机制下，基于 GaAs 的半导体微腔中观察到的电致发光现象。在低电流密度下，发射由两个峰组成，这两个峰随探测角度的变化表现出反交叉行为，因此源于极化激元态。随着载流子注入的增加，由于自由载流子对激子共振的屏蔽，我们观察到从强耦合到弱耦合的渐进转变。证明极化激元发射可以通过电注入激发，这对未来极化激元激光器的发展令人鼓舞。
引用
@article{arxiv.0801.3536,
title = {Electroluminescence emission from polariton states in GaAs-based semiconductor microcavities},
author = {A. A. Khalifa and A. P. D. Love and D. N. Krizhanovskii and M. S. Skolnick and J. S. Roberts},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.3536},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 3 figures