半导体微腔受激辐射太赫兹辐射
介观与纳米尺度物理
2010-11-23 v1
摘要
我们证明了强耦合区中的平面半导体微腔可以用作受激太赫兹（THz）辐射源。辐射出的 THz 光子频率将等于微腔极化激元模式的分裂频率。由于上极化激元态与某个激发激子态的混合，上下极化激元支之间的光学跃迁是允许的。该跃迁在极化激元激光区间内是受激的。
引用
@article{arxiv.1009.0642,
title = {Stimulated emission of terahertz radiation by semiconductor microcavities},
author = {K. V. Kavokin and M. A. Kaliteevski and R. A. Abram and A. V. Kavokin and S. Sharkova and I. A. Shelykh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.0642},
year = {2010}
}
备注
3 pages, submitted to Appl. Phys. Lett