层状铋硫属化物 EuBiS2F 在 300 至 623 K 温度范围内的电输运与热输运
超导电性
2018-08-15 v3
摘要
我们展示了层状铋基硫化物 EuBiS2F 在 300 到 623 K 的电学与热输运。尽管先前报道了 Eu 4f 与 Bi 6p 电子之间的显著杂化，该化合物的载流子输运类似于 F 掺杂的 LaBiS2O，至少在 300 K 以上如此。其晶格热导率低于同结构的 SrBiS2F，这归因于 Eu 离子更重的原子质量。
引用
@article{arxiv.1506.07340,
title = {Electrical and Thermal Transport of Layered Bismuth-chalcogenide EuBiS2F at temperatures between 300 and 623 K},
author = {Yosuke Goto and Joe Kajitani and Yoshikazu Mizuguchi and Yoichi Kamihara and Masanori Matoba},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.07340},
year = {2018}
}
备注
9 pages, 2 figures