U3Si2 的热学与输运性质
强关联电子
2018-07-06 v1
摘要
我们通过热容、电阻率、塞贝克效应、霍尔效应以及热导率，在 2-300 K 温度范围和高达 9 T 的磁场下研究了 U_3Si_2。所有获得的结果都指向该材料中 5f 电子的非局域化本质。低温热容增强（gamma_el ~ 150 mJ/mol-K2），并在 Cp/T (T) 中表现出自旋涨落特征的上翘。U3Si2 在室温下的热导率约为 8.5 W/m-K，我们表明电子部分在 300 K 以上主导热输运，正如金属体系所预期的那样，尽管晶格贡献不能完全忽略。
引用
@article{arxiv.1807.01757,
title = {Thermal and transport properties of U3Si2},
author = {Daniel J. Antonio and Keshav Shrestha and Jason M. Harp and Cynthia A. Adkins and Yongfeng Zhang and Jon Carmack and Krzysztof Gofryk},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.01757},
year = {2018}
}
备注
14 pages, 5 Figures