高介电常数SrTiO3衬底上薄PbTe薄膜的电场效应分析
其他凝聚态物理
2015-06-25 v1
摘要
研究了沉积在SrTiO3上的薄PbTe薄膜（厚度500-600埃）的电场效应（EFE）。这种薄膜的高电阻率保证了EFE方法的高灵敏度。SrTiO3衬底在栅极-介电层-PbTe结构中充当介电层。由于SrTiO3的大介电常数，特别是在低温下，薄膜中的电位移D达到约10^8 V/cm的高值，EFE引入到PbTe薄膜中的电荷量约为8微库仑/平方厘米。高D允许在宽D范围内测量EFE电阻和霍尔常数，揭示其D依赖性的特征。我们建立了一个适当的理论模型，表明对于此类薄膜，可以测量费米能级对D的依赖关系。事实上，我们证明通过改变D使费米能级跨越带隙，可以绘制带隙内态的态密度。我们的结果表明，所研究的PbTe层具有超过体PbTe带隙的迁移率隙。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610107,
title = {Electric Field Effect Analysis of Thin PbTe films on high-epsilon SrTiO3 Substrate},
author = {A. V. Butenko and R. Kahatabi and V. Sandomirsky and Y. Schlesinger and A. Yu. Sipatov and V. V. Volubuev},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610107},
year = {2015}
}
备注
27 pages, 12 figures