同一润湿层上横向双 Ge/Si 量子点中的弹性应变场
介观与纳米尺度物理
2017-01-25 v1
摘要
对位于同一润湿层上的双 Ge/Si 量子点的弹性应变场进行了模拟。基于 Keating 势的原子模型采用了团簇近似。使用包含 150 配位球原子的团簇计算了应变能密度和电子势能的空间分布。结果表明，所使用的团簇边界条件接近于周期性边界条件。
引用
@article{arxiv.1701.06654,
title = {Elastic Strain Fields In Lateral Double Ge/Si Quantum Dots},
author = {Yu. N. Morokov and M. P. Fedoruk},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.06654},
year = {2017}
}
备注
13 pages, 17 figures. arXiv admin note: text overlap with arXiv:1601.04762