SrTiO3 角分辨光电子能谱中的电子 - 声子耦合效应
材料科学
2009-03-23 v1 强关联电子
摘要
我们通过角分辨光电子能谱 (ARPES) 测量研究了 Nb 掺杂 SrTiO3 的 O 2p 价带结构，该材料是将稀浓度电子掺杂到 d0 带绝缘体中形成的。我们发现，在 M [k = (pi/a, pi/a, 0)] 和 R [k = (pi/a, pi/a, pi/a)] 点的价带顶处，ARPES 谱始于费米能级 (EF) 下方约 3.3 eV 处，这与 3.3 eV 的间接带隙以及 EF 位于导带底的位置一致。然而，ARPES 谱的峰位相对于 3.3 eV 阈值向更高结合能方向移动了约 500 meV。由于 M 和 R 处的能带具有纯 O 2p 特征，我们将这约 500 meV 的位移归因于氧 p 空穴与光学声子的强耦合，这类似于在各种过渡金属氧化物中观察到的 d 电子光电子能谱的峰位移动。
引用
@article{arxiv.0712.4309,
title = {Effects of electron-phonon coupling in angle-resolved photoemission spectra of SrTiO3},
author = {K. Maekawa and M. Takizawa and H. Wadati and T. Yoshida and A. Fujimori and H. Kumigashira and M. Oshima},
journal= {arXiv preprint arXiv:0712.4309},
year = {2009}
}