掺杂和偏压对AAA堆叠三层石墨烯中屏蔽效应的影响

我们计算了AAA堆叠三层石墨烯（TLG）的静态极化，并在随机相位近似（RPA）下研究了其在未掺杂、掺杂和偏压所有情况下的屏蔽性质。我们发现未掺杂AAA堆叠TLG的静态极化是掺杂和未掺杂单层石墨烯静态极化的组合。这导致介电背景常数增强，以及托马斯-费米屏蔽（托马斯-费米波矢与载流子浓度无关）和屏蔽库仑势长程行为的1/r^3幂律衰减。我们表明，偏压的影响可以通过将层间跳跃能重整化为一个新的依赖于偏压的值来考虑，这表明偏压AAA堆叠TLG的屏蔽性质可以电学调控。我们还发现，当$\mu$超过$\sqrt{2}\gamma$时，掺杂AAA堆叠TLG的屏蔽性质与掺杂SLG相似，仅依赖于掺杂。而当$\mu<\sqrt{2}\gamma$时，其屏蔽性质是SLG和AA堆叠屏蔽性质的组合，由掺杂和层间跳跃能决定。