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量子反常霍尔绝缘体/超导体异质结构中的畴壁效应

超导电性 2017-07-26 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

在最近的一项实验中,在量子反常霍尔(QAH)绝缘体/超导体异质结构输运测量中观测到了高度为 e22h\frac{e^2}{2h} 的半量子化纵向电导平台(HQCPs)。据预测,这些 HQCPs 是手性马约拉纳边缘态的特征。HQCPs 理应出现在霍尔电导 σxy\sigma_{xy} 量子化的区间。然而实验上,当体中出现耗散通道时,霍尔电导 σxy\sigma_{xy} 仅为量子化值的 80%,却出现了一对 HQCPs。体中的耗散通道预期会诱导安德烈耶夫反射并破坏 HQCPs。在本工作中,我们解释了畴壁如何导致 σxy\sigma_{xy} 偏离其量子化值,同时维持 HQCPs 的量子化。我们的工作支持了实验观测到的 HQCPs 确实由 QAH 绝缘体/超导体异质结构中的手性马约拉纳模引起的论断。

关键词

引用

@article{arxiv.1608.00237,
  title  = {Effects of Domain Walls in Quantum Anomalous Hall Insulator/Superconductor Heterostructures},
  author = {Chui-Zhen Chen and James Jun He and Dong-Hui Xu and K. T. Law},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1608.00237},
  year   = {2017}
}

备注

5 pages, 3 figures. Comments are welcome