随机畴对量子反常霍尔效应中零霍尔平台的影响
介观与纳米尺度物理
2019-01-23 v1
摘要
近来，在量子反常霍尔(QAH)效应中实验观测到了具有随机畴的零霍尔电导平台。我们研究了随机畴对QAH绝缘体中零霍尔平台的影响。我们发现结构反演对称性决定了QAH系统中零霍尔平台跃迁的标度性质。在存在结构反演对称性的情况下，零霍尔平台态表现出量子霍尔型的临界点，源于具有相反陈数的两个解耦子系统。然而，结构反演对称性的缺失导致这两个子系统之间的混合，产生一条临界线，并显著改变了标度行为。在此过程中，我们预言了QAH绝缘体中霍尔电导平台切换期间的Berezinskii-Kosterlitz-Thouless型跃迁。我们的结果对QAH绝缘体中零霍尔平台跃迁的理论理解以及未来的输运实验具有指导意义。
引用
@article{arxiv.1808.07194,
title = {Effects of random domains on the zero Hall plateau in quantum anomalous Hall effect},
author = {Chui-Zhen Chen and Haiwen Liu and X. C. Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.07194},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 4 figures