拓扑绝缘体纳米管表面态的有效哈密顿量
介观与纳米尺度物理
2017-07-04 v1
摘要
本文推导了具有有限壁厚的空心拓扑绝缘体纳米管表面态的有效哈密顿量。与实心拓扑绝缘体圆柱不同，拓扑绝缘体纳米管同时具有内表面和外表面，且局域在每个表面的态相互耦合。沿纳米管圆周的曲率导致载流子所经历的自旋轨道相互作用场发生空间变化，并造成纳米管内表面与外表面之间的不对称性。这两个特征在拓扑绝缘体纳米管的有效哈密顿量中引入了与相同厚度的平坦拓扑绝缘体薄膜哈密顿量中所没有的项。我们计算了Bi2Se3纳米管参数随内外半径变化的数值，并表明参数之间相对大小的不同会导致不同尺寸纳米管的本征态表现出定性不同的行为。
引用
@article{arxiv.1607.07640,
title = {Effective Hamiltonian for surface states of topological insulator nanotubes},
author = {Zhuo Bin Siu and Mansoor B. A. Jalil and Seng Ghee Tan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.07640},
year = {2017}
}