衬底温度对 C60 基自旋阀器件自旋输运特性的影响
材料科学
2013-06-04 v1
摘要
我们报道了衬底温度对具有 La0.67Sr0.33MnO3 (LSMO)/C60/钴 (Co) 三明治结构的 C60 基自旋阀 (SV) 器件磁电阻 (MR) 的影响。在不同衬底温度下沉积的 C60 中间层导致了四种类型的器件。我们观察到所有类型的器件其 MR 比率均随衬底温度单调增加。更有趣的是，在较高衬底温度下制备的器件获得了特别大的 MR (28.5%)，而其他类型器件的 MR 幅度仅为百分之几。基于 I-V 测量以及 SEM 和 AFM 表征，我们发现较高的衬底温度会导致有机薄膜中产生许多凹坑和空洞，这些凹坑将增加自旋极化载流子从一个铁磁电极到另一个电极的隧穿概率。
引用
@article{arxiv.1306.0301,
title = {Effect of substrate temperature on the spin transport property in C60-based spin valve devices},
author = {Feng Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.0301},
year = {2013}
}