边缘空位对平面石墨烯隧穿场效应晶体管性能的影响
材料科学
2017-08-02 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
研究了在不同缺陷浓度和分布（正常、均匀、周期性）下，边缘空位对平面石墨烯隧穿场效应晶体管（TFET）工作性能的影响。所有计算均采用格林函数法和紧束缚近似进行。结果表明，晶体管性能关键取决于与缺陷相关的两个重要因素：边缘局域电子态的破坏以及费米能级附近子峰的出现。研究发现，无论分布类型如何，当边缘空位比例在30%或以下时，TFET的可支持工作条件得以保证。
引用
@article{arxiv.1707.00933,
title = {Effect of edge vacancies on performance of planar graphene tunnel field-effect transistor},
author = {A. A. Glebov and V. L. Katkov and V. A. Osipov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.00933},
year = {2017}
}