深增益层与碳注入对 LGAD 辐射硬度的影响
仪器与探测器
2020-12-30 v4 高能物理 - 实验
摘要
对 Hamamatsu photonics (HPK) 与 Fondazione Bruno Kessler (FBK) 制造的 50 um 厚低增益雪崩二极管(Low Gain Avalanche Diode, LGAD)探测器在 1 MeV 中子辐照前后的性质进行了测试。利用来自 90Sr 源的 β 粒子在电荷收集研究中测量其性能,并通过电容-电压扫描(C-V)确定耗尽增益层所需的偏压。FBK 在 UFSD3 生产中测试了向传感器增益层注入碳。HPK 则生产了具有极薄、高掺杂深倍增层的 LGAD。传感器暴露于 4e14 neq/cm2 至 4e15 neq/cm2 的中子注量下。在 -30C 下测量了作为偏压函数的收集电荷与时间分辨率,此外还测量了传感器电容随电压变化的剖面。
引用
@article{arxiv.2004.05260,
title = {Effect of deep gain layer and Carbon infusion on LGAD radiation hardness},
author = {R Padilla and C. Labitan and Z. Galloway and C. Gee and S. M. Mazza and F. McKinney-Martinez and H. F. -W. Sadrozinski and A. Seiden and B. Schumm and M. Wilder and Y. Zhao and H. Ren and Y. Jin and M. Lockerby and V. Cindro and G. Kramberger and I. Mandiz and M. Mikuz and M. Zavrtanik and R. Arcidiacono and N. Cartiglia and M. Ferrero and M. Mandurrino and V. Sola and A. Staiano},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.05260},
year = {2020}
}
备注
13 pages, 10 figures, 16 references