低增益雪崩二极管在中子和质子辐照后的增益层退化研究
仪器与探测器
2023-06-22 v1 高能物理 - 实验
摘要
ATLAS和CMS实验的高亮度升级包括用于最小电离粒子(MIP)时间戳测量的专用子探测器。这些探测器在其寿命末期将暴露于1.5-2.5e15 neq/cm2量级的注量下,低增益雪崩二极管(LGAD)已被选为其基线探测技术。为更好地理解LGAD探测器在此类环境中的性能,我们开展了在中子和质子辐照至1.5e15 neq/cm2注量后的增益层退化研究。本研究选用滨松光子(HPK)和Centro Nacional de Microelectrónica (CNM-IMB)制造的LGAD,并在此给出其在卢布尔雅那Jozef Stefan Institute (JSI)的反应堆中子以及CERN-PS的24 GeV/c质子照射后增益层退化的对比。
引用
@article{arxiv.2306.11760,
title = {Gain layer degradation study after neutron and proton irradiations in Low Gain Avalanche Diodes},
author = {Esteban Curras Rivera and Alessandro La Rosa and Michael Moll and Fasih Zareef},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.11760},
year = {2023}
}
备注
Preprint submitted to JINST