AlN 籽晶层对压电 AlN 结晶学表征的影响
应用物理
2018-11-26 v1
摘要
超薄氮化铝(AlN)薄膜因可集成于纳米机电系统用于驱动与传感而备受关注。鉴于结晶学织构与压电响应之间的直接关系,X 射线衍射已成为重要的计量步骤。然而,沉积在压电(PZE)AlN 薄膜下方的各层信号可能会扭曲结晶学分析并给出误导性结果。本工作中,我们比较了 Ti 或 AlN 籽晶层对 PZE AlN 结晶质量的影响。我们还分析了若干 AlN 籽晶层厚度对 PZE AlN 摇摆曲线半高宽(FWHM)的影响,并证明随着 AlN 籽晶层厚度增加,其对 θ-2θ AlN <0002> 结晶峰的影响更大。
引用
@article{arxiv.1811.09156,
title = {Effect of AlN Seed Layer on Crystallographic Characterization of Piezoelectric AlN},
author = {Kaitlin M. Howell and Waqas Bashir and Annalisa de Pastina and Ramin Matloub and Paul Muralt and Luis G. Villanueva},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.09156},
year = {2018}
}
备注
16 pages, 4 figures, 1 table