单层 SnSe 中掺杂诱导具大自旋分裂的持久自旋螺旋
强关联电子
2019-02-27 v3
摘要
寻找支持长自旋寿命的新一类材料对于开发节能自旋电子学至关重要，这可通过使用持久自旋螺旋（PSH）材料实现。然而，对于自旋电子器件，需具有大自旋分裂的 PSH 态以在室温下工作。借助第一性原理计算，我们表明在经替代卤素杂质功能化的 SnSe 单层（ML）中可实现具大自旋分裂的 PSH 态。我们在费米能级处发现 PSH 态，其 k 空间费米面以偏移的双环为特征，由面外自旋取向主导。我们基于对称性考虑所得的有效 k·p 哈密顿量阐明了 PSH 态。最后，发现 PSH 态中具有大自旋轨道强度与极小波长，表明该系统有望用于开发在室温下工作的高效、高密度可扩展自旋电子器件。
引用
@article{arxiv.1810.09959,
title = {Doping-induced persistent spin helix with large spin splitting in monolayer SnSe},
author = {Moh. Adhib Ulil Absor and Fumiyuki Ishii},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.09959},
year = {2019}
}
备注
New Revision, some figures are corrected