卤素掺杂单层PtSe2局域杂质态中的强Rashba效应
强关联电子
2018-06-01 v4
摘要
近期1T相PtSe2单层（ML）的外延生长为其新颖应用，特别是自旋电子器件应用，开辟了可能。然而，与2H相过渡金属硫族化物（TMDs）不同，PtSe2单层中没有自旋分裂可能限制其自旋电子学应用的功能性。通过全相对论密度泛函理论计算，我们展示了可以通过引入替代卤素杂质在PtSe2单层中诱导出大的自旋分裂。根据卤素掺杂剂的原子序数（Z），我们观察到局域杂质态（LIS）中自旋分裂的增强，这归因于p-d轨道耦合贡献的增加。更重要的是，我们确定了在Gamma点附近费米面六角翘曲特征的LIS中费米能级附近的非常大Rashba分裂。我们展示了Rashba分裂可以通过调节掺杂浓度来控制。因此，本工作为在二维TMDs中诱导显著Rashba分裂铺平了可能的道路，这对于室温下工作的自旋电子器件是有用的。
引用
@article{arxiv.1803.03533,
title = {Strong Rashba effect in the localized impurity states of halogen-doped monolayer PtSe2},
author = {Moh. Adhib Ulil Absor and Iman Santosa and Harsojo and Kamsul Abraha and Hiroki Kotaka and Fumiyuki Ishii and Mineo Saito},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.03533},
year = {2018}
}
备注
6 Figures, 2 tables