屈曲 III-V 单层/SiO$_{2}$ 中的高温量子自旋霍尔态
介观与纳米尺度物理
2021-12-28 v1 材料科学
摘要
在建立对几乎所有无机三维材料的基础认识与高通量拓扑表征之后，对功能应用的普遍兴趣与需求将拓扑绝缘体研究推向探索具有更稳健拓扑性质与更少制备挑战的体系。由于在 bismuthene/SiC(0001) 中室温量子自旋霍尔(QSH)态的成功展示，从而引发了寻找实验上易于获取且拓扑能隙更大的二维拓扑体系的研究。本工作中，我们提出 SiO 上的一类 III-V 蜂窝状单层作为下一代大能隙 QSH 体系，基于其相较于 bismuthene/SiC(0001) 增大的拓扑能隙( 900 meV)，自旋电子器件有望在其上于室温工作。从根本上说，这也实现了一种区别于 Kane-Mele 型 bismuthene/SiC(0001) 的能带反转型 QSH 绝缘体。
引用
@article{arxiv.2112.13483,
title = {High-temperature quantum spin Hall states in buckled III-V-monolayer/SiO$_{2}},
author = {Yunyouyou Xia and Suhua Jin and Werner Hanke and Ralph Claessen and Gang Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.13483},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 3 figures. Report on missing references is welcome