基于随机最优调谐范围分离杂化密度泛函的大尺寸纳米晶掺杂能级研究
材料科学
2020-07-15 v1
摘要
我们应用随机版本的最优调谐范围分离杂化泛函，以揭示实验相关尺寸的P掺杂和B掺杂Si纳米晶的电子性质。我们表明，可利用未掺杂体系的范围分离参数来计算掺杂激活能的准确结果。我们将这种泛函调谐策略应用于研究直径达2.5 nm的掺杂纳米晶在杂化泛函水平下的性质。在此限域体系中，P和B掺杂剂具有较大的激活能，并拥有深置于能隙中的强局域态。结构弛豫对B取代掺杂剂影响更大，且当B掺杂剂靠近纳米晶表面时，其促使激活能升高。
引用
@article{arxiv.2003.01164,
title = {Dopant levels in large nanocrystals using stochastic optimally tuned range-separated hybrid density functional theory},
author = {Alex J. Lee and Ming Chen and Wenfei Li and Daniel Neuhauser and Roi Baer and Eran Rabani},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.01164},
year = {2020}
}