N=2 SQCD 中的畴壁与磁通管
高能物理 - 理论
2010-05-27 v2
摘要
我们研究了具有 SU(2) 规范群和两个基础表示夸克味的 (3+1) 维 N=2 SQCD 中的 (2+1) 维畴壁。该理论受到一个小的伴随物质质量项的微扰，在质量参数的最低阶，该微扰不破坏 N=2 超对称性，并在有效的低能 N=2 SQED 中约化为一个（广义的）Fayet-Iliopoulos 项。我们找到了在弱耦合下插值于两个夸克真空之间的 1/2 BPS 饱和畴壁解，并证明该畴壁局域化了一个 U(1) 规范场。为了与膜/弦图像建立联系，我们考虑了其中一个夸克真空中的 Abrikosov-Nielsen-Olesen 磁通管，并证明它可以终止于畴壁上。我们找到了壁/磁通管结的显式 1/4 BPS 饱和解。我们验证了磁通管在壁上的端点扮演了壁上的对偶 (2+1) 维 SQED 中电荷的角色。讨论了流向 N=1 理论的过程。我们的结果引出了一个关于 Kaplunovsky 等人解中著名的“缺失壁”的猜想。
关键词
引用
@article{arxiv.hep-th/0212293,
title = {Domain Walls and Flux Tubes in N=2 SQCD: D-Brane Prototypes},
author = {M. Shifman and A. Yung},
journal= {arXiv preprint arXiv:hep-th/0212293},
year = {2010}
}
备注
41 pages, 5 figures, Sect. 9.3 expanded, typos corrected