耗散 Majorana 量子线

在本文中，我们表述并定量考察了耗散对拓扑系统的影响。我们使用一个具有原位欧姆耗散的 Kitaev 量子线具体模型，并执行数值精确的量子蒙特卡洛模拟，以研究这个具有强系统-浴 (SB) 耦合、超出 Born-Markovian 近似范围的交互开放量子系统。我们集中于零温下耗散对系统拓扑特征（例如 Majorana 边缘模）的影响，发现尽管拓扑相在弱 SB 耦合下如预期般对扰动具有鲁棒性，但它最终会被足够强的耗散破坏，破坏方式是通过连续的量子相变或交叉，取决于系统的对称性。文中也讨论了耗散驱动的量子临界性。此外，利用阿贝尔玻色化框架，我们给出了模型中配对、耗散与相互作用之间相互作用的解析描述。