无序轴子绝缘体薄膜中的耗散边缘输运
介观与纳米尺度物理
2023-12-08 v1
摘要
我们研究了无序在轴子绝缘体薄膜边缘输运中的作用。我们通过第一性原理计算预测，偶数层 MnBiTe 具有带隙的螺旋边缘态。随机势将显著改变边缘谱函数使之变为无能隙。然而，此处的无能隙螺旋态从根本上不同于量子自旋霍尔绝缘体或拓扑安德森绝缘体中的相应态。我们进一步通过 Landauer-B"{u}ttiker 形式研究该系统中的边缘输运，发现此种无能隙边缘态是耗散的且不能免于背散射，这将解释实验上在六层七重层 MnBiTe 中观测到的轴子绝缘体态中的耗散非局域输运。我们提出了若干输运实验以验证我们关于耗散螺旋边缘通道的理论。特别地，即使不使用额外浮置探针，添加该探针也可大幅降低纵向电阻。这些结果将有助于在轴子绝缘体中观测期待已久的拓扑磁电效应。
引用
@article{arxiv.2109.06178,
title = {Dissipative Edge Transport in Disordered Axion Insulator Films},
author = {Zhaochen Liu and Dongheng Qian and Yadong Jiang and Jing Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.06178},
year = {2023}
}
备注
7pages,4 figures