耗散诱导的量子涨落增强与压缩

我们研究了一个量子谐振子通过位置算符 $\hat{q}$ 线性耦合到第一个浴并通过动量算符 $\hat{p}$ 耦合到第二个浴，从而产生欧姆-德鲁德(Ohmic-Drude)耗散。我们分析了该谐振子涨落作为两个耦合强度之比的函数，特别关注两种耗散相互作用相当的情况。在低温极限以及当德鲁德高频截断远大于所有其他频率的相关区域中推导了解析公式。在低温下，每个浴都会抑制在相应相互作用中出现的谐振子基态量子涨落 ${\langle \Delta \hat{q}^2 \rangle}_0$ 或 ${\langle \Delta \hat{p}^2 \rangle}_0$。当两种耗散相互作用之一主导另一个时，耦合算符的涨落被压缩。当两种相互作用相当时，由于两个共轭算符不对易，两个浴进入竞争，产生量子挫折。在此区域中，值得注意的是，两个正交分量的涨落都可通过增加耗散耦合而增强。