基于电解质门控的ReS2中的无序工程与电导穹顶
介观与纳米尺度物理
2016-09-01 v1
摘要
原子级薄二硫化铼（ReS2）是过渡金属二硫属化物（TMDC）材料家族的一员，其特征是弱层间耦合与扭曲的1T结构。在此，我们报道了采用聚合物电解质门控的单层和少层ReS2的电输运研究。我们发现单层ReS2的电导在高层载流子密度下被完全抑制，这是单层独有的不寻常特征，使ReS2成为此类材料的首个例子。尽管较厚的ReS2薄片也表现出电导穹顶与绝缘体-金属-绝缘体序列，它们在高掺杂密度下未显示完全的电导抑制。利用双门器件，我们能将栅极诱导的掺杂与聚合物电解质本身诱导的静电无序区分开。理论计算与输运模型表明，观测到的电导抑制可由窄导带与电解质诱导无序导致的安德森局域化的共同作用下解释。
引用
@article{arxiv.1608.08765,
title = {Disorder engineering and conductivity dome in ReS2 with electrolyte gating},
author = {Dmitry Ovchinnikov and Fernando Gargiulo and Adrien Allain and Diego José Pasquier and Dumitru Dumcenco and Ching-Hwa Ho and Oleg V. Yazyev and Andras Kis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.08765},
year = {2016}
}
备注
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