Fe$_3$GaTe$_2$ 中无序驱动的反常霍尔区间的渡越

Fe$_3$(Ge,Ga)Te$_2$ 化合物较大的反常霍尔电导率（AHC）引起了广泛关注。在此，我们揭示了具有高电导率的 Fe$_3$GaTe$_2$ 晶体中 AHC 的内禀性质，其表现出与无序无关的 AHC，数值显著为 $\sigma_{xy}^{\text{c}}\approx$ 420 $\Omega^{-1}$cm$^{-1}$。在低电导率区间，我们观察到标度关系 $\sigma_{xy}\propto\sigma_{xx}^{1.6}$，随着 $\sigma_{xx}$ 的增加，该关系渡越至 $\sigma_{xy} \simeq \sigma_{xy}^{\text{c}}$。低电导率晶体中的无序由铁磁相与亚铁磁基态之间一阶相变的展宽所证实。通过密度泛函理论（DFT）计算，我们揭示了 Berry 曲率的主要来源位于 $\Gamma$ 点附近费米能级以下几百 meV 处。因此，Fe$_3$GaTe$_2$ 清晰地展现了不同 AHC 区间之间由无序诱导的渡越，这此前是从位于渡越区域两侧的不同铁磁体的测量中推断出来的。