Dirac临界性下的错位、错位及散发磁通
强关联电子
2026-02-10 v2 高能物理 - 理论
摘要
当费米子在具有晶体缺陷的晶格上跳跃时，会发生什么？答案取决于指定低能理论中晶格旋转和平移作用的拓扑量子数。可以将这些拓扑量子数理解为晶体规范场相对于连续规范场的扭曲。在连续理论中，错位和错位——晶体对称性的缺陷——通常导致某种散发的离散化磁通。为证明这些事实，我们详细研究了低能描述为(2+1)D Dirac锥的紧密耦合模型。我们从晶格到连续缺陷之间的映射解释了晶体拓扑响应对错位和错位的反应，并激发了用于分类晶体拓扑相位的费米子晶体等价原理。当能隙闭合时，散发磁通的存在会导致从真空中发生成对产生，粒子和反粒子围绕缺陷旋转。我们采用缺陷共形场论的工具计算相关的电流和能量密度。存在丰富的重整化群固定点，这取决于粒子如何从缺陷散射。在半磁通处，存在一种缺陷共形流形，导致一系列可能的低能理论。我们提出了大量数值证据支持晶格缺陷处的散发磁通，并详细测试了我们从晶格到连续缺陷之间的映射。我们还指出了一个不可行结果，这意味着在对称类AII中，单个(2+1)D Dirac锥与具有C_M旋转对称性不兼容。
引用
@article{arxiv.2501.13866,
title = {Disclinations, dislocations, and emanant flux at Dirac criticality},
author = {Maissam Barkeshli and Christopher Fechisin and Zohar Komargodski and Siwei Zhong},
journal= {arXiv preprint arXiv:2501.13866},
year = {2026}
}
备注
24+15 pages, 10+10 figures; v2: minor corrections