用于 ABC 三层石墨烯中可逆 G 声子混合的方向可控化学掺杂
介观与纳米尺度物理
2020-08-10 v1
摘要
不仅表观原子排布，电荷分布同样定义了决定电子与振动结构的晶体对称性。本工作中，我们报道了可逆且方向可控的化学掺杂，其修饰了 AB 双层与 ABC 三层石墨烯的反演对称性。对于自上而下与自下而上的空穴注入至石墨烯片层，我们分别采用电负性 I2 的分子吸附与退火诱导的界面空穴掺杂。反演对称性的化学破缺导致了 G 声子的混合，即拉曼活性的 Eg 与拉曼非活性的 Eu 模式，表现为两个分裂的 G 峰，G- 与 G+。通过简单冲洗或界面分子替换去除空穴掺杂剂可恢复破缺的反演对称性。或者，该对称性亦可通过双面电荷注入重新获得，其消除了 G- 并形成了一个额外的峰 Go，源于几乎未掺杂的内部层。本研究所展示的晶体对称性的化学修饰可应用于其他低维晶体以调控其各种材料性质。
引用
@article{arxiv.2008.03001,
title = {Direction-Controlled Chemical Doping for Reversible G-Phonon Mixing in ABC Trilayer Graphene},
author = {Kwanghee Park and Sunmin Ryu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.03001},
year = {2020}
}
备注
20 pages, 6 figures