直接隧穿高-$\kappa$非晶 HfO$_2$：化学修饰的影响
材料科学
2014-07-11 v1
摘要
我们报告了关于量子隧穿穿过金属 - 氧化物 - 半导体（MOS）纳米结构（形式为 n-Si/HfO/Al）中非晶 HfO介电层的第一性原理模拟。特别地，我们预测通过在 MOS 结构两个界面远处的中间区域掺杂 N 和 Al 原子来化学修饰非晶 HfO势垒，可以将栅极到沟道的隧穿漏电流降低一个数量级以上。研究发现其他几种类型的修饰会增强隧穿或在 Si 中引起显著的能带弯曲，从漏电流角度来看这些都是不希望的。通过分析透射系数和投影态密度，揭示了电子在有或无杂质原子的情况下穿越高-介电隧穿势垒的微观物理机制。
引用
@article{arxiv.1407.2686,
title = {Direct tunneling through high-$\kappa$ amorphous HfO$_2$: effects of chemical modification},
author = {Yin Wang and Zhizhou Yu and Ferdows Zahid and Lei Liu and Yu Zhu and Jian Wang and Hong Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.2686},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 5 figures