模拟交替偏置辅助退火的非晶氧化物隧结
介观与纳米尺度物理
2025-12-23 v1 材料科学
摘要
非晶氧化物隧结障壁主要由铝形成，代表着采用用于超导量子比特（qubit）平台中最广泛采用的平台之一。为克服隧结障壁中缺陷和样本方差所带来的挑战，Pappas 等人引入了交替偏置辅助退火（ABAA）方法。该方法通过对障壁施加交替偏置并随后进行老化处理，显示可减少障壁中的缺陷。这些缺陷会引起两水平系统，导致qubit与之耦合并加速退相干。在本工作中，我们通过ab initio分子动力学和机器学习势能的组合，复制了一个加速的ABAA过程，阐明了ABAA如何影响障壁的能量景观。
引用
@article{arxiv.2512.18420,
title = {Simulating alternating bias assisted annealing of amorphous oxide tunnel junctions},
author = {Alexander C. Tyner and Alexander V. Balatsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.18420},
year = {2025}
}
备注
5 pages, 4 figures