利用扫描电子显微镜对III-V族材料反相畴的直接取向衬度成像
材料科学
2026-04-20 v1 应用物理
摘要
研究了利用扫描电子显微镜对闪锌矿结构III-V族材料进行直接取向衬度成像。采用定量方法，以生长在GaAs衬底上的3微米厚取向图案化GaP样品为对象，研究了反相畴衬度随电子束能量和倾斜角度的变化。对生长在非极性材料上的III-V族材料，在有无化学机械抛光的情况下进行了定性研究。最后，对GaP-on-Si样品的采集图像进行处理，揭示了面内择优反相畴界。
引用
@article{arxiv.2604.15812,
title = {Direct Orientation Contrast Imaging of Anti-Phase Domains on III-V Materials Using Scanning Electron Microscopy},
author = {Brieg Le Corre and Clothilde Grenèche and Rozenn Bernard and Tony Rohel and Antoine Létoublon and Wijden Khelifi and Julie Le Pouliquen and Arnaud Grisard and Sylvain Combrié and Bruno Gérard and Abdelmounaim Harouri and Luc Le Gratiet and Grégoire Beaudoin and Konstantinos Pantzas and Isabelle Sagnes and Oliver Skibitzki and Gilles Patriarche and Charles Cornet and Yoan Léger},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.15812},
year = {2026}
}