利用离轴 EELS 测量高折射率材料的带隙
材料科学
2016-10-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在本研究中，使用 Cs 像差校正且单色化的扫描透射电子显微镜电子能量损失谱（STEM-EELS）探索了允许确定高折射率材料带隙的实验设置。将微弧度范围的半会聚角与半收集角与离轴或暗场 EELS 相结合，以避免低损失范围内的相对论损失和导波光模式对所采集 EEL 谱的贡献。离轴 EELS 进一步抑制了零损失峰及零损失峰的尾部。通过直接观察 EEL 谱且无需任何背景扣除，成功确定了若干 GaAs 基材料的带隙。所提出的设置不要求将加速电压设定在 Cerenkov 极限以下，并且可应用于现代 TEM 的整个加速电压范围以及很宽的样品厚度范围。
引用
@article{arxiv.1609.09778,
title = {Bandgap measurement of high refractive index materials by off-axis EELS},
author = {Maryam Vatanparast and Ricardo Egoavil and Turid W. Reenaas and Johan Verbeeck and Randi Holmestad and Per Erik Vullum},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.09778},
year = {2016}
}
备注
16 pages, 8 figures