具有可控光电性质的 GeSe2 纳米结构的直接激光微图案化
介观与纳米尺度物理
2013-11-19 v1
摘要
我们证明了直接聚焦激光束照射能够在 GeSe2 纳米结构 (NSs) 薄膜上实现局部改性。使用扫描聚焦激光束装置，直接在基底上创建 GeSe2 NSs 薄膜的微图案。通过改变激光功率和处理环境，实现了对 NSs 结构和化学变化的控制。激光改性的 GeSe2 NSs 表现出独特的光学、电学和光电性质。我们进行了详细的表征，并讨论了激光诱导变化的可能机制。与原始纳米结构薄膜相比，激光改性的 NSs 薄膜显示出优越的光电导性质。构建具有改进功能的微图案可能被证明在微型光电器件中是有用的。
引用
@article{arxiv.1311.4191,
title = {Direct Laser Micropatterning of GeSe2 Nanostructures with Controlled Optoelectrical Properties},
author = {Bablu Mukherjee and Govinda Murali and Sharon Xiaodai Lim and Minrui Zheng and Eng Soon Tok and Chorng Haur Sow},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.4191},
year = {2013}
}