谷简并电子气的扩散蒙特卡洛研究及其在量子点中的应用
强关联电子
2009-11-13 v1
摘要
利用扩散蒙特卡洛 (DMC) 计算，分析了半导体中谷简并度在 6 到 24 之间的多味电子气 (MFEG)。在密度变化一个数量级的范围内，DMC 结果与我们其中一位作者 [Phys. Rev. B 78, 035111 (2008)] 导出的总能量解析表达式吻合良好，误差在 1% 以内，且该吻合度随谷简并度增加而提高。对于 Bi2Te3（六重谷简并），适用的载流子密度范围在 到 之间。对于波数 的 24 重简并 MFEG 极化率，DMC 计算区分了精确表达式和有用的近似表达式。通过梯度修正将 MFEG 的解析结果推广到非均匀系统，并得到了该方法的有效范围。在密度泛函理论计算中使用该近似，其结果与量子点的 DMC 结果吻合良好。
引用
@article{arxiv.0810.5642,
title = {Diffusion Monte Carlo study of a valley degenerate electron gas and application to quantum dots},
author = {G. J. Conduit and P. D. Haynes},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.5642},
year = {2009}
}
备注
15 pages, 7 figures, PRB (to appear)