GaN/HfO2量子阱中的介电失配与浅施主杂质
介观与纳米尺度物理
2014-10-17 v1
摘要
在这项工作中，我们研究了GaN/HfO2量子阱中的电子-杂质结合能。该计算同时考虑了由介电失配引起的所有能量贡献：（i）镜像自能（即电子与其镜像电荷之间的相互作用），（ii）电子-杂质之间的直接库仑相互作用，以及（iii）电子与杂质镜像电荷之间的相互作用。该理论模型基于含时薛定谔方程的求解，结果显示了电子-杂质结合能的大小如何依赖于杂质在阱-垒系统中的位置。通过将GaN/HfO2的结果与更典型的GaN/AlN系统在两种不同约束机制（窄和宽量子阱）下的结果进行比较，揭示了势垒区域大介电常数的作用。
引用
@article{arxiv.1410.4213,
title = {Dielectric mismatch and shallow donor impurities in GaN/HfO2 quantum wells},
author = {T. A. S. Pereira and A. A. Sousa and M. H. Degani and G. A. Farias},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.4213},
year = {2014}
}
备注
6 Pages, 7 figures