一维、二维和三维中低电子密度与高粒子-空穴不对称性下的近藤效应
强关联电子
2016-09-28 v2
摘要
利用微扰标度法和 NRG，我们研究了近藤杂质问题中的特征能量尺度，将其作为交换耦合常数 与传导电子密度的函数。我们讨论了杂质结合能 与近藤温度 之间的关系。我们发现两者仅在大 值时成正比，而在弱耦合极限下能量增益对 是二次的，而近藤温度则指数级小。这两个量之间的精确关系取决于能带态密度的具体形式。在低电子密度极限下，由于能带边缘范霍夫奇点的存在，近藤屏蔽受到强粒子-空穴不对称性的影响。我们考虑了 1D、2D 和 3D 紧束缚晶格的情况，其态密度的起始分别具有反平方根、阶跃函数和平方根的特征。我们总是发现两种不同的区域，取决于 是高于还是低于 （从能带底测量的化学势）。对于 2D 和 3D，我们发现 中大- 与小- 渐近之间存在着 S 形交叉，并且在 时 与 明显分离。对于 1D，此外还存在一个可观的中等- 区域，由于能带边缘态密度发散，近藤温度对 呈二次依赖。进一步，我们发现与通过将态密度近似为常数（平带近似）得到的标准结果相比，在 1D 中粒子-空穴不对称性导致 大幅降低，而在 3D 中情况相反；这是由于在粒子-空穴不对称性存在下交换与势散射重正化之间的非平凡相互作用。
引用
@article{arxiv.1607.01891,
title = {Kondo effect at low electron density and high particle-hole asymmetry in 1D, 2D, and 3D},
author = {Rok Zitko and Alen Horvat},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.01891},
year = {2016}
}
备注
8 pages, 8 figures