基于电气测量法诊断与定位隧结结构中的孔洞缺陷
凝聚态物理
2009-11-10 v1
摘要
在开发基于薄三层磁阻隧结的第一代传感器和存储芯片时，人们意识到孔洞缺陷对磁阻性能会产生不利影响。然而，目前基于Andreev反射及隧结电阻随温度变化的诊断方法可能不适用于生产质量控制。我们指出，在横条纹几何结构的隧结中，孔洞缺陷存在时电流密度会变得非常不均匀，从而导致隧结的四端电阻取决于孔洞在隧结中的位置。利用这种位置依赖性，我们提出了一种简单的四次四端测量方案。通过求解反问题，我们可以诊断孔洞的存在，估计其位置和电阻。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0306153,
title = {Diagnosis and Location of Pinhole Defects in Tunnel Junctions using only Electrical Measurements},
author = {Zhongsheng Zhang and David A. Rabson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0306153},
year = {2009}
}
备注
9 pages, eplain TeX, other macro files included; some versions of TeX epsf may have trouble with figures, in which case try the Postscript or PDF generated automatically by the Archive