USTC 小间距超薄 3D 硅传感器的开发
仪器与探测器
2026-05-14 v1
摘要
我们报告了中国科学技术大学（USTC）开发的 3D 硅传感器。该传感器包含来自同一晶圆侧面刻蚀的柱状电极（直径 5 微米），两种掺杂类型均可。p+ 电极穿透薄蚀薄片，而 n+ 电极则在距离另一侧薄片短距离处停止。与此前代 3D 传感器相比，新型传感器具有超薄有效衬底（50 微米）和小像素尺寸（50 微米×50 微米或 25 微米×25 微米）。该研发项目旨在建立一种技术，能够在单像素水平上同时测量位置和时间信息。已完成一个合并衬底布局的首次运行。本文报告了传感器的设计、制造及表征。
引用
@article{arxiv.2605.13281,
title = {Development of Small-pitch, Ultra-thin 3D Silicon Sensors at USTC},
author = {Kuo Ma and De Zhang and Shengjia He and Tian-ao Wang and Han Li and Yu Nie and Xiuxia Wang and Jinlan Peng and Zheng Liang and Xiang Li and Wenhua Shi and Manwen Liu and Chuan Liao and Zheng Li and Zebo Tang and Yanwen Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2605.13281},
year = {2026}
}