利用双交换动力学模型确定III族元素偏析的临界生长速率与生长温度
材料科学
2018-01-03 v1
摘要
在III-V化合物分子束外延生长过程中，III族元素的偏析导致非突变界面。诸如量子阱、量子点和超晶格等结构中的组分不对称性，进而引起这些量子结构电子能带排列的非突变，改变了其光电子性质。我们利用双交换动力学模型研究了不同生长参数下III族原子的浓度分布，并确定了在III族原子偏析小于10%的结构生长所需的临界生长温度与生长速率区域。
引用
@article{arxiv.1801.00275,
title = {Determination of the critical growth rate and growth temperature for group-III elements segregation using two exchanges Kinetic Model},
author = {M. Arjomandi and P. Hosseinzadeh and S. Dadgostar and V. R. Yazdanpanah and S. Mirzakuchaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.00275},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 4 figures