在 GeTe 中检测真空能级上方的图像势态

铁电半导体 $\alpha$-GeTe(111) 近十年来因其独特特性受到广泛关注，已有大量研究聚焦于其占据电子能带结构。相较之下，其未占据态——尤其是靠近导带底（conduction band minimum）的态——鲜有被探索。为此，我们通过时-角分辨光子能谱（time- and angle-resolved photoemission spectroscopy）测得了 $\alpha$-GeTe(111) 中向上延伸至 0.8 eV 真空能级之上的三个图像势态（image potential states, IPS）。我们解析了前三个 IPS 的完整抛物线能带，并确定了其结合能。我们的分析结合 Bloch 谱函数计算表明，IPS 在真空能级之上意外持久性源于强偶极转移和 GeTe 中大电子储备库的存在。