通过静电工程设计窄带隙半导体薄膜中的拓扑与分数化
强关联电子
2025-01-14 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们表明，仅使用外部静电超晶格势，即可在一类窄带隙半导体薄膜中工程化拓扑平微型能带。我们证明，对于真实的材料参数，这些能带能够在零磁场下容纳关联拓扑相，如整数量子反常霍尔态、分数量子反常霍尔态以及复合费米液体相。我们的结果为在广泛材料中实现分数化拓扑态提供了一条途径。
引用
@article{arxiv.2402.03085,
title = {Designing topology and fractionalization in narrow gap semiconductor films via electrostatic engineering},
author = {Tixuan Tan and Aidan P. Reddy and Liang Fu and Trithep Devakul},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.03085},
year = {2025}
}