由轨道选择性关联驱动的涌现平带与拓扑Kondo半金属

平电子带预期会表现出成比例增强的电子关联，这可能产生大量新颖量子相和异常低能激发。人们正日益在具有破坏性电子干涉晶格的$d$电子基系统中追寻此类平带，它们通常是拓扑的。然而，这类平带一般远离费米能，限制了其参与低能物理的能力。本文中我们表明电子关联产生钉扎在费米能上的涌现平带。我们在一个Hubbard模型中证明了该效应，在由Wannier轨道描述的 regime 中，通过轨道选择性Mott关联涌现出有效的Kondo描述。此外，关联效应与对称性约束协同作用，产生拓扑Kondo半金属。我们的结果在新场景下——即合适晶格上的$d$电子基材料——为Weyl Kondo半金属提供了一种新颖的设计原理，并揭示了看似不相关系统间的相互联系，这可能启发对量子材料及其他领域中关联拓扑效应的全新理解与实现。