设计完全补偿的半金属亚铁磁体
材料科学
2016-04-20 v2
摘要
近期关于Mn2RuxGa的实验工作展示了其作为补偿型亚铁磁半金属（CFHM）的潜力。本文我们给出一组高通量第一性原理密度泛函理论计算与详细的实验表征，使我们能够正确描述名义上的Mn2RuxGa薄膜，特别是在位点无序和缺陷方面。然后我们构建模型，精确捕捉Mn-Ru-Ga系统的所有关键特征，包括磁补偿和费米能级处的自旋能隙。我们发现电子掺杂是必要的，这是通过小于2的Mn/Ga比实现的。我们的研究表明，如何结合成分和衬底诱导的双轴应变来设计首个室温CFHM。
引用
@article{arxiv.1511.07923,
title = {Designing a fully-compensated half-metallic ferrimagnet},
author = {Mario Zic and Karsten Rode and Naganivetha Thiyagarajah and Yong-Chang Lau and Davide Betto and J. M. D. Coey and Stefano Sanvito and Kerry J. O'Shea and Ciaran A. Ferguson and Donald A. MacLaren and Thomas Archer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.07923},
year = {2016}
}
备注
5 pages + 4 pages supplementary material