零矩半金属中的畴成像
材料科学
2018-12-14 v1
摘要
我们有一系列用于考察铁磁体表面畴的方法，这些方法依赖于探测杂散场分布，但它们在反铁磁体或补偿亚铁磁体中无效，因为后者不产生杂散场。补偿亚铁磁半金属的发现使得局域磁化态可用偏振光直接观察。此处所考虑的示例 MnRuGa 具有两个不等价但反向排列的 Mn 子晶格，其磁矩大小相等、方向相反，但只有其中一个在费米能级处贡献自旋极化传导电子。该材料从外部看像反铁磁体，但从电子结构角度看类似于自旋极化铁磁金属。其各向异性轴垂直于膜面，因此可用极向磁光克尔效应直接对畴成像。成分为 MnRuGa 的薄膜中的畴结构已在克尔显微镜下成像并描出磁滞回线。畴的尺寸约为 20 {\mu}m，具有蜿蜒的畴壁，分形维数 D = 1.85。我们的结果为零净矩磁有序材料开辟了新的直接成像可能。
引用
@article{arxiv.1812.05371,
title = {Imaging Domains in a Zero-Moment Half Metal},
author = {K. E. Siewierska and N. Teichert and R. Schäfer and J. M. D. Coey},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.05371},
year = {2018}
}